| 【饰面泄爆墙案例】浙江陶特半导体材料有限公司年产5000吨高纯ALD 、CVD前驱体材料生产项目 |
| 发布日期：2024-02-29 人气：165 |
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【饰面泄爆墙案例】浙江陶特半导体材料有限公司年产5000吨高纯ALD 、CVD前驱体材料生产项目 浙江陶特半导体材料有限公司年产5000吨高纯ALD 、CVD前驱体材料生产项目总投资约6.19亿元，用地面积76.64亩。新建建筑面积40500平方米，引进离子色谱仪、氦检漏仪等进口设备，购置产品纯化生产线、产品合成生产线等国产设备，形成年产5000吨高纯ALD、CVD前驱体材料的生产能力，项目建成后，预计可实现年产值133761万元。 项目详情 项目名称：浙江陶特半导体材料有限公司年产5000吨高纯ALD 、CVD前驱体材料生产项目 项目类型：化工厂房 使用厚度：9mm 应用部位：泄爆墙体 |
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